“電晶體”，英文是transistor

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“電晶體”，英文是transistor
“電晶體”，英文是transistor
電晶體是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。

電晶體是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。

一、電晶體的種類

電晶體有多種分類方法。

（一）按半導體材料和極性分類

按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺NPN型電晶體、鍺PNP電晶體、矽NPN型電晶體和矽PNP型電晶體。

（二）按結構及製造工藝分類

電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。

（三）按電流容量分類

電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。

（四）按工作頻率分類

電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。

（五）按封裝結構分類

電晶體按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）電晶體、塑膠封裝（簡稱塑封）電晶體、玻璃殼封裝（簡稱玻封）電晶體、表面封裝（片狀）電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。

（六）按功能和用途分類

電晶體按功能和用途可分為低雜訊放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光電晶體和磁敏電晶體等多種類型。

二、電晶體的主要參數

電晶體的主要參數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。

（一）電流放大係數

電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。

根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。

1．直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2．交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有區別又關係密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。

（二）耗散功率

耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。

耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因超載而損壞。

通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。

（三）頻率特性

電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。

電晶體的頻率特性參數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。

1．特徵頻率fT 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。

通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的電晶體稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的電晶體稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的電晶體稱為中頻管。

2．最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。

通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。

（四）集電極最大電流ICM

集電極最大電流是指電晶體集電極所允許通過的最大電流。當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。

（五）最大反向電壓

最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。

1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。

2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。

3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

（六）反向電流

電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1．集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。

2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的性能越好。

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